--- 产品参数 ---
- 品牌 DIODES
- 型号 DMN4010LK3
- 名称 N 沟道增强型 MOSFET
- 产地 台湾
- 封装 TO252-3L
--- 产品详情 ---
产品简介
DIODES 的 DMN4010LK3 这种新一代MOSFET的设计目的是最大限度地降低状态电阻(RDS(ON)),同时保持卓越的开关性能,是高效电源管理的理想选择应用程序。
产品规格
品牌 DIODES
型号 DMN4010LK3
名称 N 沟道增强型 MOSFET
产地 台湾
封装 TO252-3L
产品参数
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 40 V
|VGS| (±V) 20 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 11.9 A
|IDS| @TC = +25°C (A) 39 A
PD @TA = +25°C (W) 2.4 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 11.5 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 14.5 mΩ
|VGS(TH)| Min (V) 1 V
|VGS(TH)| Max (V) 3 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 17 nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 37 nC
CISS Typ (pF) 1810 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 20 V
主要特征
低RDS(ON)–确保最大限度地减少状态损耗
小尺寸热效封装,实现更高
密度最终产品
仅占SO-8占用的板面积的33%
较小的最终产品
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