--- 产品参数 ---
- 品牌 DIODES
- 型号 DMN4030LK3
- 名称 N 沟道增强型 MOSFET
- 产地 台湾
- 封装 TO252
--- 产品详情 ---
产品简介
DIODES 的 DMN4030LK3 这种MOSFET被设计为最小化导通状态电阻RDS(ON))同时保持优异的开关性能,使其成为高效电源管理应用的理想选择。
产品规格
品牌 DIODES
型号 DMN4030LK3
名称 N 沟道增强型 MOSFET
产地 台湾
封装 TO252
产品参数
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 40 V
|VGS| (±V) 20 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 9.6 A
PD @TA = +25°C (W) 4.18 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 30 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 50 mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 3 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 6.5 nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 12.9 nC
CISS Typ (pF) 604 pF
主要特征
生产中 100% 未钳位感应开关 (UIS) 测试
低导通电阻
开关速度快
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