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射频微波器件、组件一站式服务 国产替代选型

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DMN4030LK3Q 40V N 沟道增强型 MOSFET 晶体管 汽车款

Diodes MOSFET 晶体管
型号： DMN4030LK3Q

--- 产品参数 ---

  • 品牌 DIODES
  • 型号 DMN4030LK3Q
  • 名称 40V N 沟道增强型 MOSFET
  • 产地 台湾
  • 封装 TO252

--- 产品详情 ---

DMN4030LK3Q 

产品简介
DIODES 的 DMN4030LK3Q 这种MOSFET的设计满足汽车应用。它符合 AEC-Q101 标准，并由 PPAP 支持。

 

产品规格 
品牌                DIODES
型号                DMN4030LK3Q
名称                40V N 沟道增强型 MOSFET
产地                台湾
封装                TO252

 

产品参数
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Automotive
Polarity N
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 40 V
|VGS| (±V) 20 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 9.6 A
PD @TA = +25°C (W) 4.18 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 30 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 50 mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 3 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 6.5 nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 12.9 nC

 

主要特征
低导通电阻
快速切换速度

 

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