--- 产品参数 ---
- 品牌 DIODES
- 型号 DMN4036LK3
- 名称 N 沟道增强型 MOSFET
- 产地 台湾
- 封装 TO252-3L
--- 产品详情 ---
产品简介
DIODES 的 DMN4036LK3 这种MOSFET被设计为最小化导通电阻(RDS(打开)),同时保持卓越的切换性能,使其非常适合高效电源管理应用。
产品规格
品牌 DIODES
型号 DMN4036LK3
名称 N 沟道增强型 MOSFET
产地 台湾
封装 TO252-3L
产品参数
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 40 V
|VGS| (±V) 20 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 8.5 A
PD @TA = +25°C (W) 4.1 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 36 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 61 mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 3 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 4.9 nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 9.2 nC
CISS Typ (pF) 453 pF
主要特征
低导通电阻
切换速度快
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