DMN4060SVT N 沟道增强型 MOSFET 晶体管

产品简介
DIODES 的 DMN4060SVT这种新一代MOSFET的设计目的是最大限度地降低状态电阻（RDS（on）），同时保持卓越的开关性能，是高效电源管理的理想选择应用程序。

产品规格 
品牌                DIODES
型号                DMN4060SVT
名称                N 沟道增强型 MOSFET
产地                台湾
封装                TSOT26

产品参数
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 45 V
|VGS| (±V) 20 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 4.8 A
PD @TA = +25°C (W) 1.8 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 46 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 62 mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 3 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 10.4 nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 22.4 nC

主要特征
低输入电容
低导通电阻
切换速度快

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