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射频微波器件、组件一站式服务 国产替代选型

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DMN53D0LDW 双N 沟道增强型 MOSFET 晶体管

Diodes MOSFET 晶体管
型号： DMN53D0LDW

--- 产品参数 ---

  • 品牌 DIODES
  • 型号 DMN53D0LDW
  • 名称 双N 沟道增强型 MOSFET
  • 产地 台湾
  • 封装 SOT363

--- 产品详情 ---

DMN53D0LDW 

产品简介
DIODES 的 DMN53D0LDW这种新一代MOSFET的设计目的是将导通电阻（RDS（on）），同时保持卓越的切换性能，是高效电源管理的理想选择应用程序。

 

产品规格 
品牌                DIODES
型号                DMN53D0LDW
名称                双N 沟道增强型 MOSFET
产地                台湾
封装                SOT363

 

产品参数
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N+N
ESD Diodes (Y|N) Yes
|VDS| (V) 50 V
|VGS| (±V) 20 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 0.36 A
PD @TA = +25°C (W) 0.31 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 1600 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 2500 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(2.5V)(mΩ) 4500 mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 1.5 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 0.6 nC
CISS Typ (pF) 46 pF

 

主要特征
双N沟道MOSFET
低导通电阻
低输入电容
快速切换速度
小型表面安装封装
ESD保护至2kV

 

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