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射频微波器件、组件一站式服务 国产替代选型

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DMNH4006SK3 40V +175°C N 沟道增强型 MOSFET 晶体管

Diodes MOSFET 晶体管
型号： DMNH4006SK3

--- 产品参数 ---

  • 品牌 DIODES
  • 型号 DMNH4006SK3
  • 名称 40V +175°C N 沟道增强型 MOSFET
  • 产地 台湾
  • 封装 TO252 (DPAK)

--- 产品详情 ---

DMNH4006SK3 

产品简介
DIODES 的 DMNH4006SK3 这款新一代 MOSFET 旨在最大限度地降低通态电阻 (R DS(ON) )，同时保持卓越的开关性能，使其成为高效电源管理应用的理想选择。

 

产品规格 
品牌                DIODES
型号                DMNH4006SK3
名称                40V +175°C N 沟道增强型 MOSFET
产地                台湾
封装                TO252 (DPAK)

 

产品参数
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 40 V
|VGS| (±V) 20 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 20 A
PD @TA = +25°C (W) 3.6 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 6 mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 4 V
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 51 nC
CISS Typ (pF) 2280 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 25 V

 

主要特征
低导通电阻
低输入电容
开关速度快
低输入/输出泄漏

 

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