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射频微波器件、组件一站式服务 国产替代选型

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DMNH45M7SCT 40V +175°C N 沟道增强型 MOSFET 晶体管

Diodes MOSFET 晶体管
型号： DMNH45M7SCT

--- 产品参数 ---

  • 品牌 DIODES
  • 型号 DMNH45M7SCT
  • 名称 40V +175°C N 沟道增强型 MOSFET
  • 产地 台湾
  • 封装 TO220AB (Generic)

--- 产品详情 ---

DMNH45M7SCT 

产品简介
DIODES 的 DMNH45M7SCT 这款新一代增强型MOSFET的设计目的最小化RDS（ON），同时保持卓越的切换性能，使其成为高效电源管理应用的理想选择。

 

产品规格 
品牌                DIODES
型号                DMNH45M7SCT
名称                40V +175°C N 沟道增强型 MOSFET
产地                台湾
封装                TO220AB (Generic)

 

产品参数
AEC Qualified No
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 40 V
|VGS| (±V) 20 ±V
|IDS| @TC = +25°C (A) 220 A
PD @TC = +25°C (W) 240 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 6 mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 3 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 31.6 nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 64.7 nC
CISS Typ (pF) 4043 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 20 V

 

主要特征
低输入电容
低输入/输出泄漏

 

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