DMNH6008SCT 60V +175°C N 沟道增强型 MOSFET 晶体管

产品简介
DIODES 的 DMNH6008SCT 这款新一代 MOSFET 旨在最大限度地降低导通电阻 (R DS(ON) )，同时保持卓越的开关性能，使其成为高效电源管理应用的理想选择。

产品规格 
品牌                DIODES
型号                DMNH6008SCT
名称                60V +175°C N 沟道增强型 MOSFET
产地                台湾
封装                TO220AB

产品参数
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 60 V
|VGS| (±V) 20 ±V
|IDS| @TC = +25°C (A) 130 A
PD @TC = +25°C (W) 210 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 8 mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 4 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 21 nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 40 nC
CISS Typ (pF) 2596 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 30 V

主要特征
额定温度为 +175°C – 高环境温度环境的理想选择
100% 非钳位感应开关 – 确保更可靠、更稳健的最终应用
低输入电容
低输入/输出泄漏

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