--- 产品参数 ---
- 品牌 DIODES
- 型号 DMP1009UFDF
- 名称 12VP 沟道增强型 MOSFET
- 产地 台湾
- 封装 U-DFN2020-6
--- 产品详情 ---
产品简介
DIODES 的 DMP1009UFDF 这种新一代MOSFET的设计目的是将导通状态降至最低电阻(RDS(ON))并且仍然保持优异的开关性能,使其成为高效电源管理应用的理想选择。
产品规格
品牌 DIODES
型号 DMP1009UFDF
名称 12VP 沟道增强型 MOSFET
产地 台湾
封装 U-DFN2020-6
产品参数
AEC Qualified No
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity P
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 12 V
|VGS| (±V) 8 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 11 A
PD @TA = +25°C (W) 2 W
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 11 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(2.5V)(mΩ) 19 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(1.8V)(mΩ) 30 mΩ
|VGS(TH)| Min (V) 0.3 V
|VGS(TH)| Max (V) 1 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 26 nC
CISS Typ (pF) 1860 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 10 V
主要特征
0.6 毫米轮廓 – 非常适合薄型应用
PCB 占位面积为 4mm 2
低导通电阻
开关速度快
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