--- 产品参数 ---
- 品牌 DIODES
- 型号 DMP1055USW
- 名称 P 沟道增强型 MOSFET
- 产地 台湾
- 封装 SOT363
--- 产品详情 ---

产品简介
DIODES 的 DMP1055USW 这款新一代 MOSFET 旨在最大限度地降低通态电阻 (R DS(ON) ),同时保持卓越的开关性能,使其成为高效电源管理应用的理想选择。
产品规格
品牌 DIODES
型号 DMP1055USW
名称 P 沟道增强型 MOSFET
产地 台湾
封装 SOT363
产品参数
AEC Qualified No
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity P
ESD Diodes (Y|N) Yes
|VDS| (V) 12 V
|VGS| (±V) 8 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 3.8 A
PD @TA = +25°C (W) 1.03 W
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 48 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(2.5V)(mΩ) 59 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(1.8V)(mΩ) 80 mΩ
|VGS(TH)| Min (V) 0.4 V
|VGS(TH)| Max (V) 1 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 13 nC
CISS Typ (pF) 1028 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 6 V
主要特征
低导通电阻
低栅极阈值电压
低输入电容
开关速度快
小型表面贴装封装
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