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DMP10H400SK3 P 沟道增强型 MOSFET 晶体管

型号: DMP10H400SK3

--- 产品参数 ---

  • 品牌 DIODES
  • 型号 DMP10H400SK3
  • 名称 P 沟道增强型 MOSFET
  • 产地 台湾
  • 封装 TO252 (DPAK)

--- 产品详情 ---

DMP10H400SK3

产品简介
DIODES 的 DMP10H400SK3 这款新一代 100V P 沟道增强型 MOSFET 旨在最大限度地降低 R DS(on),同时保持卓越的开关性能。该器件非常适合 DC/DC 电源管理和主板/服务器应用。

 

产品规格 
品牌                DIODES
型号                DMP10H400SK3
名称                P 沟道增强型 MOSFET
产地                 台湾
封装                 TO252 (DPAK)


产品参数
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity P
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 100 V
|VGS| (±V) 20 ±V
|IDS| @TC = +25°C (A) 9 A
PD @TC = +25°C (W) 42 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 240 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 300 mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 3 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 8.4 nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 17.5 nC
CISS Typ (pF) 1239 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 25 V

 

主要特征
低导通电阻
低输入电容

 

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