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DMP2021UFDE P 沟道增强型 MOSFET 晶体管

Diodes MOSFET 晶体管
型号： DMP2021UFDE

--- 产品参数 ---

  • 品牌 DIODES
  • 型号 DMP2021UFDE
  • 名称 P 沟道增强型 MOSFET
  • 产地 台湾
  • 封装 U-DFN2020-6

--- 产品详情 ---

DMP2021UFDE 

产品简介
DIODES 的 DMP2021UFDE 该 MOSFET 旨在最大限度地降低通态电阻 (R DS(ON) )，同时保持卓越的开关性能，使其成为高效电源管理应用的理想选择。

 

产品规格 
品牌                DIODES
型号                DMP2021UFDE
名称                P  沟道增强型 MOSFET
产地                台湾
封装                U-DFN2020-6

 

产品参数
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity P
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 20 V
|VGS| (±V) 10 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 9 A
PD @TA = +25°C (W) 1.9 W
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 16 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(2.5V)(mΩ) 22 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(1.8V)(mΩ) 40 mΩ
|VGS(TH)| Min (V) 0.35 V
|VGS(TH)| Max (V) 1 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 34 nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 59 (@8V) nC
CISS Typ (pF) 2760 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 15 V

 

主要特征
0.6 毫米轮廓 – 薄型应用的理想选择
低栅极阈值电压
低导通电阻
ESD保护栅极

 

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