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DMP2040UND 双P 沟道增强型 MOSFET 晶体管

Diodes MOSFET 晶体管
型号： DMP2040UND

--- 产品参数 ---

  • 品牌 DIODES
  • 型号 DMP2040UND
  • 名称 双P 沟道增强型 MOSFET
  • 产地 台湾
  • 封装 POWERDI®3333-8

--- 产品详情 ---

DMP2040UND  

产品简介
DIODES 的 DMP2040UND 这款新一代 MOSFET 旨在最大限度地降低导通电阻 (RDS(ON))，同时保持卓越的开关性能，使其成为高效电源管理应用的理想选择。

 

产品规格 
品牌                DIODES
型号                DMP2040UND
名称                双P  沟道增强型 MOSFET
产地                台湾
封装                POWERDI®3333-8


产品参数
AEC Qualified No
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity P+P
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 20 V
|VGS| (±V) 12 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 5.3 A
PD @TA = +25°C (W) 1.4 W
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 36 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(2.5V)(mΩ) 60 mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 1.5 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 9.6 nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 20 nC


主要特征
双 P 沟道 MOSFET
低导通电阻
低栅极阈值电压
低输入电容
开关速度快
低输入/输出泄漏


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