--- 产品参数 ---
- 品牌 DIODES
- 型号 DMP2066UFDE
- 名称 P 沟道增强型 MOSFET
- 产地 台湾
- 封装 U-DFN2020-6 Type E
--- 产品详情 ---
产品简介
DIODES 的 DMP2066UFDE 这款新一代 20V P 沟道增强型 MOSFET 旨在最大限度地降低 R DS(on),同时保持卓越的开关性能。该器件非常适合便携式、电池组和其他电源管理功能。
产品规格
品牌 DIODES
型号 DMP2066UFDE
名称 P 沟道增强型 MOSFET
产地 台湾
封装 U-DFN2020-6 Type E
产品参数
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity P
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 20 V
|VGS| (±V) 12 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 6.2 A
PD @TA = +25°C (W) 2.03 W
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 36 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(2.5V)(mΩ) 56 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(1.8V)(mΩ) 75 mΩ
|VGS(TH)| Min (V) 0.4 V
|VGS(TH)| Max (V) 1.1 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 14.4 nC
CISS Typ (pF) 1537 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 10 V
主要特征
0.6mm轮廓–适用于低轮廓应用
PCB占地面积4mm2
低栅极阈值电压
低导通电阻
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