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DMP2066UFDE P 沟道增强型 MOSFET 晶体管

Diodes MOSFET 晶体管
型号： DMP2066UFDE

--- 产品参数 ---

  • 品牌 DIODES
  • 型号 DMP2066UFDE
  • 名称 P 沟道增强型 MOSFET
  • 产地 台湾
  • 封装 U-DFN2020-6 Type E

--- 产品详情 ---

DMP2066UFDE  

产品简介
DIODES 的 DMP2066UFDE 这款新一代 20V P 沟道增强型 MOSFET 旨在最大限度地降低 R DS(on)，同时保持卓越的开关性能。该器件非常适合便携式、电池组和其他电源管理功能。

 

产品规格 
品牌                  DIODES
型号                  DMP2066UFDE
名称                  P  沟道增强型 MOSFET
产地                  台湾
封装                  U-DFN2020-6 Type E


产品参数
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity P
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 20 V
|VGS| (±V) 12 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 6.2 A
PD @TA = +25°C (W) 2.03 W
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 36 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(2.5V)(mΩ) 56 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(1.8V)(mΩ) 75 mΩ
|VGS(TH)| Min (V) 0.4 V
|VGS(TH)| Max (V) 1.1 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 14.4 nC
CISS Typ (pF) 1537 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 10 V


主要特征
0.6mm轮廓–适用于低轮廓应用
PCB占地面积4mm2
低栅极阈值电压
低导通电阻


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