DMP2069UFY4Q P 沟道增强型 MOSFET 晶体管

产品简介
DIODES 的 DMP2069UFY4Q 该 MOSFET 旨在最大限度地降低导通电阻 (RDS(ON))，同时保持卓越的开关性能，使其成为高效电源管理应用的理想选择。

产品规格 
品牌                  DIODES
型号                  DMP2069UFY4Q
名称                  P  沟道增强型 MOSFET
产地                  台湾
封装                  X2-DFN2015-3

产品参数
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Automotive
Polarity P
ESD Diodes (Y|N) Yes
|VDS| (V) 20 V
|VGS| (±V) 8 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 2.5 A
PD @TA = +25°C (W) 0.53 W
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 54 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(2.5V)(mΩ) 69 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(1.8V)(mΩ) 90 mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 1 V
CISS Typ (pF) 214 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 10 V

主要特征
低导通电阻
低输入电容
开关速度快
低输入/输出泄漏
ESD 保护高达 3kV

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