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射频微波器件、组件一站式服务 国产替代选型

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DMP2900UT P 沟道增强型 MOSFET 晶体管

Diodes MOSFET 晶体管
型号： DMP2900UT

--- 产品参数 ---

  • 品牌 DIODES
  • 型号 DMP2900UT
  • 名称 P 沟道增强型 MOSFET
  • 产地 台湾
  • 封装 SOT523

--- 产品详情 ---

DMP2900UT  

产品简介
DIODES 的 DMP2900UT 这款新一代 MOSFET 旨在最大限度地降低导通电阻 (RDS(ON))，同时保持卓越的开关性能，使其成为高效电源管理应用的理想选择。

 

产品规格 
品牌                  DIODES
型号                  DMP2900UT
名称                  P  沟道增强型 MOSFET
产地                  台湾
封装                  SOT523


产品参数
AEC Qualified No
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity P
ESD Diodes (Y|N) Yes
|VDS| (V) 20 V
|VGS| (±V) 6 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 0.5 A
PD @TA = +25°C (W) 0.32 W
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 700 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(2.5V)(mΩ) 900 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(1.8V)(mΩ) 1300 mΩ
|VGS(TH)| Min (V) 0.5 V
|VGS(TH)| Max (V) 1 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 0.7 nC
CISS Typ (pF) 49 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 16 V


主要特征
低导通电阻
低栅极阈值电压
低输入电容
开关速度快
低输入/输出泄漏
ESD保护栅极


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