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射频微波器件、组件一站式服务 国产替代选型

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DMP3012LPS P 沟道增强型 MOSFET 晶体管

Diodes MOSFET 晶体管
型号： DMP3012LPS

--- 产品参数 ---

  • 品牌 DIODES
  • 型号 DMP3012LPS
  • 名称 P 沟道增强型 MOSFET
  • 产地 台湾
  • 封装 POWERDI5060-8

--- 产品详情 ---

DMP3012LPS 

产品简介
DIODES 的 DMP3012LPS 这款新一代 30V P 沟道增强型 MOSFET 旨在最大限度地降低 R DS(ON)，同时保持卓越的 开关性能。该器件非常适合用于笔记本电脑 电池电源管理和负载开关。

 

产品规格 
品牌                  DIODES
型号                  DMP3012LPS
名称                  P  沟道增强型 MOSFET
产地                  台湾
封装                  POWERDI5060-8


产品参数
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity P
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 30 V
|VGS| (±V) 20 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 13.2 A
PD @TA = +25°C (W) 2.36 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 9 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 12 mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 2.1 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 66 nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 139 nC
CISS Typ (pF) 6807 pF


主要特征
热效包装冷却器运行应用
转换效率高
低RDS（ON）–最大限度地减少状态损耗
低输入电容
切换速度快
<1.1mm封装外形–适用于薄型应用
ESD HBM保护高达1kV


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