产品简介
DIODES 的 DMP32D8UFZ 该 MOSFET 旨在最大限度地降低导通电阻 (R DS ( ON ))，同时保持卓越的开关性能，使其成为高效电源管理应用的理想选择。
产品规格
品牌 DIODES
型号 DMP32D8UFZ
名称 P 沟道增强型 MOSFET
产地 台湾
封装 X2-DFN0606-3
产品参数
AEC Qualified No
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity P
ESD Diodes (Y|N) Yes
|VDS| (V) 30 V
|VGS| (±V) 10 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 0.200 A
PD @TA = +25°C (W) 0.29 W
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 5000 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(2.5V)(mΩ) 6000 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(1.8V)(mΩ) 7000 mΩ
|VGS(TH)| Min (V) 0.4 V
|VGS(TH)| Max (V) 1 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 0.35 nC
CISS Typ (pF) 17 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 15 V
主要特征
低封装外形，最大封装高度 0.42mm
62mm x 0.62mm 封装尺寸
低导通电阻
极低栅极阈值电压，最大值 -1.0V
ESD保护栅极
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