--- 产品参数 ---
- 品牌 DIODES
- 型号 DMP4013LFGQ
- 名称 40V P 沟道增强型 MOSFET
- 产地 台湾
- 封装 POWERDI®3333-8
--- 产品详情 ---
产品简介
DIODES 的 DMP4013LFGQ 该 MOSFET 旨在满足汽车应用的严格要求。它符合 AEC-Q101 标准,受 PPAP 支持,非常适合用于:反极性保护、电源管理功能和 DC-DC 转换器。
产品规格
品牌 DIODES
型号 DMP4013LFGQ
名称 40V P 沟道增强型 MOSFET
产地 台湾
封装 POWERDI®3333-8
产品参数
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Automotive
Polarity P
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 40 V
|VGS| (±V) 20 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 10.3 A
PD @TA = +25°C (W) 2.1 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 13 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 18 mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 3 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 32.5 nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 68.6 nC
CISS Condition @|VDS| (V) 20 V
主要特征
低 R DS(ON) – 确保最小化通态损耗
小外形热效率封装可实现更高
密度最终产品
占据 SO-8 所占电路板面积的 33%,从而实现更小的最终产品
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