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DMP45H4D9HJ3 450V P 沟道增强型 MOSFET 晶体管

型号: DMP45H4D9HJ3

--- 产品参数 ---

  • 品牌 DIODES
  • 型号 DMP45H4D9HJ3
  • 名称 450V P沟道增强型 MOSFET
  • 产地 台湾
  • 封装 TO251 (Type TH)

--- 产品详情 ---

DMP45H4D9HJ3 

产品简介
DIODES 的 DMP45H4D9HJ3 该 MOSFET 旨在最大限度地降低通态电阻,同时保持卓越的开关性能,使其成为高效电源管理应用的理想选择。

 

产品规格 
品牌                  DIODES
型号                  DMP45H4D9HJ3
名称                  450V P沟道增强型 MOSFET
产地                  台湾
封装                  TO251 (Type TH)


产品参数
AEC Qualified No
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity P
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 450 V
|VGS| (±V) 30 ±V
|IDS| @TC = +25°C (A) 4.6 A
PD @TC = +25°C (W) 104 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 4900 mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 5 V
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 13.7 nC
CISS Typ (pF) 547 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 25 V


主要特征
低输入电容
电力应用的高 BVDSS 评级
低输入/输出泄漏

 

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