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DMP56D0UFB P 沟道增强型 MOSFET 晶体管

型号: DMP56D0UFB

--- 产品参数 ---

  • 品牌 DIODES
  • 型号 DMP56D0UFB
  • 名称 P 沟道增强型 MOSFET
  • 产地 台湾
  • 封装 X1-DFN1006-3

--- 产品详情 ---

DMP56D0UFB 

产品简介
DIODES 的 DMP56D0UFB 这款新一代 50V P 沟道增强型 MOSFET 旨在最大限度地降低 R DS(ON),同时保持卓越的开关性能。该器件非常适合手持式应用。

 

产品规格 
品牌                  DIODES
型号                  DMP56D0UFB
名称                  P 沟道增强型 MOSFET
产地                  台湾
封装                   X1-DFN1006-3


产品参数
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity P
ESD Diodes (Y|N) Yes
|VDS| (V) 50 V
|VGS| (±V) 8 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 0.2 A
PD @TA = +25°C (W) 0.425 W
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 6000 (@4V) mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(2.5V)(mΩ) 8000 mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 1.2 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 0.58 nC
CISS Typ (pF) 50.54 pF


主要特征
低导通电阻
ESD保护门
低输入/输出泄漏
快速切换速度

 

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