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DMP6023LFG 60V P 沟道增强型 MOSFET 晶体管

型号: DMP6023LFG

--- 产品参数 ---

  • 品牌 DIODES
  • 型号 DMP6023LFG
  • 名称 60V P 沟道增强型 MOSFET
  • 产地 台湾
  • 封装 POWERDI®3333-8

--- 产品详情 ---

DMP6023LFG  

 产品简介
DIODES 的 DMP6023LFG 该 MOSFET 旨在最大限度地降低导通电阻 (RDS(ON)),同时保持卓越的开关性能,使其 成为高效电源管理应用的理想选择。

 

产品规格 
品牌                  DIODES
型号                  DMP6023LFG
名称                  60V P 沟道增强型 MOSFET
产地                  台湾
封装                  POWERDI®3333-8


产品参数
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity P
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 60 V
|VGS| (±V) 20 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 7.7 A
PD @TA = +25°C (W) 2.1 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 25 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 33 mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 3 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 26.5 nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 53.1 nC
CISS Typ (pF) 2569 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 30 V


主要特征
低 RDS(ON) – 确保最小化状态损耗
小尺寸热效率封装可实现更高 密度的最终产品
仅占用 SO-8 所占电路板面积的 33%,从而实现 更小的最终产品


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