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DMPH1006UPSQ 12V 175°C P 沟道增强型 MOSFET 晶体管

型号: DMPH1006UPSQ

--- 产品参数 ---

  • 品牌 DIODES
  • 型号 DMPH1006UPSQ
  • 名称 12V 175°C P 沟道增强型 MOSFET
  • 产地 台湾
  • 封装 PowerDI5060-8

--- 产品详情 ---

DMPH1006UPSQ  

产品简介
DIODES 的 DMPH1006UPSQ 该 MOSFET 旨在满足汽车应用的严格要求。它符合 AEC-Q101 标准并得到 PPAP 支持。

 

产品规格 
品牌                  DIODES
型号                  DMPH1006UPSQ
名称                  12V 175°C P 沟道增强型 MOSFET
产地                  台湾
封装                  PowerDI5060-8


产品参数
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Automotive
Polarity P
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 12 V
|VGS| (±V) 8 ±V
|IDS| @TC = +25°C (A) 80 A
PD @TA = +25°C (W) 3.2 W
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 6 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(2.5V)(mΩ) 8 mΩ
|VGS(TH)| Min (V) 0.4 V
|VGS(TH)| Max (V) 1 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 72 nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 124 (@8V) nC
CISS Typ (pF) 6334 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 10 V


主要特征
额定温度为 +175°C – 高环境温度环境的理想选择
100% 非钳位感应开关 – 确保更可靠、更稳健的最终应用
高转换效率
低 R DS(ON) – 最大限度地减少通态损耗
低输入电容
开关速度快


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