--- 产品参数 ---
- 品牌 DIODES
- 型号 DMPH3010LK3
- 名称 175°C P 沟道增强型 MOSFET
- 产地 台湾
- 封装 TO252
--- 产品详情 ---
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产品简介
DIODES 的 DMPH3010LK3 这款新一代 MOSFET 旨在最大限度地降低通态电阻 (R DS(ON) ),同时保持卓越的开关性能,使其成为高效电源管理应用的理想选择。
产品规格
品牌 DIODES
型号 DMPH3010LK3
名称 175°C P 沟道增强型 MOSFET
产地 台湾
封装 TO252
产品参数
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity P
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 30 V
|VGS| (±V) 20 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 16 A
PD @TA = +25°C (W) 3.9 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 7.5 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 10 mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 2.1 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 66 nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 139 nC
CISS Typ (pF) 6807 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 15 V
主要特征
额定温度为 +175°C – 高环境温度环境的理想选择
生产中 100% 未钳位感应开关 (UIS) 测试
低导通电阻
开关速度快
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