--- 产品参数 ---
- 品牌 DIODES
- 型号 DMPH6050SPD
- 名称 175°C 60V 双 P 沟道增强型 MOSFET
- 产地 台湾
- 封装 PowerDI5060-8 (Type C)
--- 产品详情 ---

产品简介
DIODES 的 DMPH6050SPD 这款新一代 MOSFET 旨在最大限度地降低导通电阻 (R DS(ON) ),同时保持卓越的开关性能,使其成为高效电源管理应用的理想选择。
产品规格
品牌 DIODES
型号 DMPH6050SPD
名称 175°C 60V 双 P 沟道增强型 MOSFET
产地 台湾
封装 PowerDI5060-8 (Type C)
产品参数
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity P+P
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 60 V
|VGS| (±V) 20 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 6.3 A
PD @TA = +25°C (W) 2.8 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 48 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 60 mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 3 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 14.5 nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 30.6 nC
CISS Typ (pF) 1525 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 30 V
主要特征
额定温度为 +175°C – 非常适合高环境温度环境
100% 非钳位感应开关 – 确保更可靠、更稳健的最终应用
低 RDS(ON) – 最大限度地减少功率损耗
低 Qg – 最大限度地减少开关损耗
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