产品简介
DIODES 的 DMS2095LFDB 这种新一代MOSFET的设计目的是最大限度地降低状态电阻（RDS（ON）），同时保持卓越的开关性能，是高效电源管理的理想选择应用程序。
产品规格
品牌 DIODES
型号 DMS2095LFDB
名称 P 沟道增强型 MOSFET
产地 台湾
封装 U-DFN2020-6
产品参数
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity P+SKY
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 20 V
|VGS| (±V) 12 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 3.4 A
PD @TA = +25°C (W) 1.64 W
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 95 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(2.5V)(mΩ) 120 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(1.8V)(mΩ) 150 mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 1.3 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 7 nC
主要特征
具有低RDS（ON）的MOSFET–最大限度地减少传导损耗
低栅极阈值电压，最大-1.3V
具有低正向压降的肖特基二极管
外形小巧，最大高度0.5mm
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