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DMS2220LFDB P 沟道增强型 MOSFET 晶体管

型号: DMS2220LFDB

--- 产品参数 ---

  • 品牌 晶体管
  • 型号 DMS2220LFDB
  • 名称 P 沟道增强型 MOSFET
  • 产地 台湾
  • 封装 U-DFN3020-8Type B

--- 产品详情 ---

DMS2220LFDB 

产品简介
DIODES 的 DMS2220LFDB 这种新一代MOSFET的设计目的是最大限度地降低状态电阻(RDS(ON)),同时保持卓越的开关性能,是高效电源管理的理想选择应用程序。

 

产品规格 
品牌                  DIODES
型号                  DMS2220LFDB
名称                  P 沟道增强型 MOSFET
产地                  台湾
封装                  U-DFN3020-8Type B

 

产品参数
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity P+SKY
ESD Diodes (Y|N) Yes
|VDS| (V) 20 V
|VGS| (±V) 12 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 3.5 A
PD @TA = +25°C (W) 1.4 W
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 95 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(2.5V)(mΩ) 120 mΩ
|VGS(TH)| Min (V) 0.45 V
|VGS(TH)| Max (V) 1.3 V
CISS Typ (pF) 632 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 10 V


主要特征
低导通电阻
70mΩ @V GS = -4.5V
85mΩ @V GS = -2.5V
86mΩ(典型值)@V GS = -1.8V
低栅极阈值电压,最大值 -1.3V
开关速度快
低输入/输出泄漏
采用低 VF 超级势垒整流器 (SBR®)
薄型,最大高度 0.5mm


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