产品简介
DIODES 的 DMS3014SFGQ 这种MOSFET的设计满足汽车应用。它符合AEC-Q101标准。
产品规格
品牌 DIODES
型号 DMS3014SFGQ
名称 30V N 沟道增强型 MOSFET
产地 台湾
封装 PowerDI®3333-8
产品参数
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Automotive
Polarity N
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 30 V
|VGS| (±V) 12 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 9 A
PD @TA = +25°C (W) 2.1 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 14.5 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 15.5 mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 2.2 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 19.3 nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 45.7 nC
CISS Typ (pF) 2296 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 15 V
主要特征
DIOFET 利用独特的专利工艺将 MOSFET 和肖特基单片集成在单个芯片中，以提供：
- 低 RDS(ON) – 最小化传导损耗
- 低 VSD – 减少体二极管传导造成的损耗
- 低 QRR – 集成肖特基的较低 QRR 可减少体二极管开关损耗
- 低栅极电容 (Qg/Qgs) 比 – 降低风险高频下的直通或交叉传导电流
小尺寸热效率封装可实现更高密度的最终产品
仅占用 SO-8 所占电路板面积的 33%，从而实现更小的最终产品
100% UIS（雪崩）评级
100% Rg 测试
相关型号
DMS2095LFDB
DMS2120LFWB
DMS2220LFDB
DMS3014SFGQ
DMT10H003SPSW
DMT10H009LCG
DMT10H009LFG
DMT10H009LH3
DMT10H009LK3
DMT10H009LPS
DMT10H009LSS
DMT10H009SCG
DMT10H009SK3
DMT10H009SPS
DMT10H009SSS
DMT10H010LCT
DMT10H010LK3
DMT10H010LPS
DMT10H010LSS
DMT10H010LSSQ
DMT10H010SPS
DMT10H014LSS
DMT10H015LCG
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DMT10H032LDV
DMT10H032LFDF
DMT10H032LFVW
DMT10H032LK3
DMT10H032LSS
DMT10H032SFVW
DMT10H052LFDF
DMT10H072LFDF
DMT10H072LFDFQ
DMT10H072LFV
DMT10H4M5LPS
DMT10H9M9LCT
DMT10H9M9SCT
DMT10H9M9SH3
DMT12H007LPS
DMT12H007SPS
DMT12H060LCA9
DMT12H060LFDF
DMT12H065LFDF
DMT12H090LFDF4
DMT15H017LPS
DMT15H017LPSW
DMT15H017SK3
DMT15H035SCT
DMT15H053SK3
DMT15H053SSS
DMT15H067SSS
DMT2004UFDF
DMT2004UFG
DMT2004UFV
DMT2004UPS
DMT2005UDV
DMT3002LPS
DMT3003LFG
DMT3003LFGQ
DMT3004LFG
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30V N 沟道增强型 MOSFET 晶体管
产品简介
DIODES 的 DMS3014SFGQ 这种MOSFET的设计满足汽车应用。它符合AEC-Q101标准。
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型号 DMS3014SFGQ
名称 30V N 沟道增强型 MOSFET
产地 台湾
封装 PowerDI®3333-8
产品参数
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Automotive
Polarity N
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 30 V
|VGS| (±V) 12 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 9 A
PD @TA = +25°C (W) 2.1 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 14.5 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 15.5 mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 2.2 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 19.3 nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 45.7 nC
CISS Typ (pF) 2296 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 15 V
主要特征
DIOFET 利用独特的专利工艺将 MOSFET 和肖特基单片集成在单个芯片中，以提供：
- 低 RDS(ON) – 最小化传导损耗
- 低 VSD – 减少体二极管传导造成的损耗
- 低 QRR – 集成肖特基的较低 QRR 可减少体二极管开关损耗
- 低栅极电容 (Qg/Qgs) 比 – 降低风险高频下的直通或交叉传导电流
小尺寸热效率封装可实现更高密度的最终产品
仅占用 SO-8 所占电路板面积的 33%，从而实现更小的最终产品
100% UIS（雪崩）评级
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