产品简介
DIODES 的 DMT10H009SCG 这款新一代 N 沟道增强型 MOSFET 旨在最大限度地减少 RDS(ON)，同时保持卓越的开关性能。该器件非常适合用于笔记本电脑电池电源管理和负载开关。
产品规格
品牌 DIODES
型号 DMT10H009SCG
名称 100V N 沟道增强型 MOSFET
产地 台湾
封装 V-DFN3333-8 (Type B)
产品参数
AEC Qualified No
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 100 V
|VGS| (±V) 20 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 14 A
|IDS| @TC = +25°C (A) 48 A
PD @TA = +25°C (W) 2.7 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 9.5 mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 4 V
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 30 nC
CISS Typ (pF) 2085 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 50 V
主要特征
生产中 100% 未钳位感应开关 (UIS) 测试
高转换效率
低 RDS(ON) – 最大限度地减少状态损失
低输入电容
开关速度快
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