产品简介
DIODES 的 DMT10H017LPD 这种新一代MOSFET具有低导通电阻和快速开关，使其成为高效电源管理的理想选择应用程序。
产品规格
品牌 DIODES
型号 DMT10H017LPD
名称 100V 双 N 沟道增强型 MOSFET
产地 台湾
封装 PowerDI®5060-8
产品参数
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N+N
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 100 V
|VGS| (±V) 20 ±V
|IDS| @TC = +25°C (A) 54.7 A
PD @TA = +25°C (W) 2.2 W
PD @TC = +25°C (W) 78 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 17.4 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 30.3 mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 3 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 14.4 nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 28.6 nC
CISS Typ (pF) 1986 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 50 V
主要特征
100%无阻尼感应开关——确保更可靠
和稳健的最终应用
高转换效率
低RDS（ON）--最大限度地减少状态损耗
低输入电容
快速切换速度
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