产品简介
DIODES 的 DMT10H4M5LPS 这款新一代 N 沟道增强型 MOSFET 旨在最大限度地减少 RDS(ON)，同时保持卓越的开关性能。该器件非常适合用于笔记本电脑电池电源管理和负载开关。
产品规格
品牌 DIODES
型号 DMT10H4M5LPS
名称 100V N 沟道增强型 MOSFET
产地 台湾
封装 PowerDI®5060-8
产品参数
AEC Qualified No
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 100 V
|VGS| (±V) 20 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 19 A
|IDS| @TC = +25°C (A) 100 A
PD @TA = +25°C (W) 2.3 W
PD @TC = +25°C (W) 113 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 4.3 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 6.2 mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 2.5 V
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 80 nC
CISS Typ (pF) 4843 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 50 V
主要特征
生产中 100% 非钳位电感开关 (UIS) 测试 – 确保最终应用更加可靠和稳健
高转换效率
低 RDS(ON) – 最大限度地减少通态损耗
低输入电容
开关速度快
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