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DMT10H9M9LCT 100V N 沟道增强型 MOSFET 晶体管

型号: DMT10H9M9LCT

--- 产品参数 ---

  • 品牌 DIODES
  • 型号 DMT10H9M9LCT
  • 名称 100V N 沟道增强型 MOSFET
  • 产地 台湾
  • 封装 TO220AB

--- 产品详情 ---

DMT10H9M9LCT 

产品简介
DIODES 的 DMT10H9M9LCT 这款新一代 MOSFET 具有低导通电阻和快速开关的特点,非常适合高效电源管理应用。

 

产品规格 
品牌                  DIODES
型号                  DMT10H9M9LCT
名称                 100V N 沟道增强型 MOSFET
产地                  台湾
封装                  TO220AB

 

产品参数
AEC Qualified No
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 100 V
|VGS| (±V) 20 ±V
|IDS| @TC = +25°C (A) 101 A
PD @TA = +25°C (W) 2.3 W
PD @TC = +25°C (W) 156 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 8.5 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 14 mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 2.5 V
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 40.2 nC
CISS Typ (pF) 2309 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 50 V


主要特征
低输入电容
电力应用的高 BVDSS 评级
低输入/输出泄漏


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