产品简介
DIODES 的 DMT12H007LPS 描述和应用 该 MOSFET 旨在最大限度地降低导通电阻 (RDS(ON))，同时保持卓越的开关性能，使其成为高效电源管理应用的理想选择。
产品规格
品牌 DIODES
型号 DMT12H007LPS
名称 120V N 沟道增强型 MOSFET
产地 台湾
封装 PowerDI®5060-8
产品参数
AEC Qualified No
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 120 V
|VGS| (±V) 20 ±V
|IDS| @TC = +25°C (A) 90 A
PD @TA = +25°C (W) 2.9 W
PD @TC = +25°C (W) 96 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 7.8 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 14.1 mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 2.5 V
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 49 nC
CISS Typ (pF) 3224 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 60 V
主要特征
生产中 100% 非钳位电感开关 (UIS) 测试 – 确保最终应用更加可靠和稳健
热效率高的封装 – 运行温度更低的应用
高转换效率
低 RDS(ON) – 最大限度地减少通态损耗
<1.1mm 封装外形 – 薄型应用的理想选择
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