产品简介
DIODES 的 DMT2004UPS 这款新一代 MOSFET 旨在最大限度地降低通态电阻 (R DS(ON) )，同时保持卓越的开关性能，使其成为高效电源管理应用的理想选择。
产品规格
品牌 DIODES
型号 DMT2004UPS
名称 N 沟道增强型 MOSFET
产地 台湾
封装 PowerDI5060-8
产品参数
AEC Qualified No
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 24 V
|VGS| (±V) 12 ±V
|IDS| @TC = +25°C (A) 80 A
PD @TA = +25°C (W) 3 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 5 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 6.5 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(2.5V)(mΩ) 10 mΩ
|VGS(TH)| Min (V) 0.55 V
|VGS(TH)| Max (V) 1.45 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 29.6 nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 53.7 nC
CISS Typ (pF) 1683 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 15 V
主要特征
低 R DS(ON) – 最大限度地减少通态损耗
优秀的 Q gd x R DS(ON)产品 (FOM)
DC-DC 转换器的先进技术
小外形热效率封装可实现更高密度的最终产品
100% 非钳位感应开关 – 确保更高的可靠性
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