--- 产品参数 ---
- 品牌 DIODES
- 型号 DMT6009LCT
- 名称 60V N 沟道增强型 MOSFET
- 产地 台湾
- 封装 TO220AB
--- 产品详情 ---
产品简介
DIODES 的 DMT6009LCT 这款新一代 MOSFET 具有低导通电阻和快速开关的特点,非常适合高效电源管理应用。
产品规格
品牌 DIODES
型号 DMT6009LCT
名称 60V N 沟道增强型 MOSFET
产地 台湾
封装 TO220AB
产品参数
AEC Qualified No
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 60 V
|VGS| (±V) 16 ±V
|IDS| @TC = +25°C (A) 37.2 A
PD @TA = +25°C (W) 2.2 W
PD @TC = +25°C (W) 25 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 12 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 14.5 mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 2 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 15.6 nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 33.5 nC
CISS Typ (pF) 1925 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 30 V
主要特征
优秀的 Q GD x R DS(ON)产品 (FOM)
DC-DC 转换器的先进技术
低输入/输出泄漏
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