--- 产品参数 ---
- 品牌 DIODES
- 型号 DMT6012LFDF
- 名称 60V N 沟道增强型 MOSFET
- 产地 台湾
- 封装 U-DFN2020-6 (Type F)
--- 产品详情 ---
产品简介
DIODES 的 DMT6012LFDF 这种新一代MOSFET的设计目的是将导通状态降至最低电阻(RDS(ON))同时保持优异的开关性能,使其成为高效电源管理应用的理想选择。
产品规格
品牌 DIODES
型号 DMT6012LFDF
名称 60V N 沟道增强型 MOSFET
产地 台湾
封装 U-DFN2020-6 (Type F)
产品参数
AEC Qualified No
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 60 V
|VGS| (±V) 20 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 9.5 A
PD @TA = +25°C (W) 1.9 W
PD @TC = +25°C (W) 11 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 14 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 21 mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 2.3 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 7.3 nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 13.6 nC
CISS Typ (pF) 785 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 30 V
主要特征
生产中的100%无阻尼感应开关(UIS)测试--
确保更加可靠和稳健的最终应用程序
0.6mm轮廓——适用于低轮廓应用
PCB占地面积4mm2
低导通电阻
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