产品简介
DIODES 的 DMT6012LFV 该 MOSFET 旨在最大限度地降低导通电阻 (RDS(ON))，同时保持卓越的开关性能，使其成为高效电源管理应用的理想选择。
产品规格
品牌 DIODES
型号 DMT6012LFV
名称 60V N 沟道增强型 MOSFET
产地 台湾
封装 PowerDI®3333-8
产品参数
AEC Qualified No
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N
ESD Diodes (Y|N) Yes
|VDS| (V) 60 V
|VGS| (±V) 20 ±V
|IDS| @TC = +25°C (A) 43.3 A
PD @TA = +25°C (W) 1.95 W
PD @TC = +25°C (W) 33.78 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 12 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 15 mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 2.5 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 10.7 nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 22.2 nC
CISS Typ (pF) 1522 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 30 V
主要特征
生产中 100% 非钳位电感开关 (UIS) 测试 – 确保最终应用更加可靠和稳健
低 RDS(ON) – 确保最小化通态损耗
小外形热效率封装可实现更高密度的最终产品
仅占 SO-8 所占电路板面积的 33%，从而实现更小的最终产品
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