产品简介
DIODES 的 DMT64M1LPSW 该 MOSFET 旨在最大限度地降低通态电阻 (RDS(ON))，同时保持卓越的开关性能，使其成为高效电源管理应用的理想选择。
产品规格
品牌 DIODES
型号 DMT64M1LPSW
名称 65V N 沟道增强型 MOSFET
产地 台湾
封装 PowerDI®5060-8
产品参数
AEC Qualified No
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 65 V
|VGS| (±V) 20 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 21.8 A
|IDS| @TC = +25°C (A) 81.7 A
PD @TA = +25°C (W) 3.14 W
PD @TC = +25°C (W) 44 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 4.4 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 6.3 mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 2.5 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 28.9 nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 51.4 nC
CISS Typ (pF) 2626 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 30 V
主要特征
生产中的100%无阻尼感应开关（UIS）测试--
确保更加可靠和稳健的最终应用程序
高转换效率
低RDS（ON）--最大限度地减少电源损耗
低Qg——最大限度地减少开关损耗
用于改进光学检测的可润湿法兰
快速切换速度
低输入电容
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