产品简介
DIODES 的 DMT8012LK3 该 MOSFET 旨在最大限度地降低通态电阻 (R DS(ON) )，同时保持卓越的开关性能，使其成为高效电源管理应用的理想选择。
产品规格
品牌 DIODES
型号 DMT8012LK3
名称 80V N 沟道增强型 MOSFET
产地 台湾
封装 TO252 (DPAK)
产品参数
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 80 V
|VGS| (±V) 20 ±V
|IDS| @TC = +25°C (A) 44 A
PD @TA = +25°C (W) 2.7 W
PD @TC = +25°C (W) 50 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 17 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 22 mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 3 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 15 nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 34 nC
CISS Typ (pF) 1949 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 40 V
主要特征
低RDS（ON）–确保最大限度地减少状态损耗
高转换效率
低输入电容
快速切换速度
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