--- 产品参数 ---
- 品牌 DIODES
- 型号 DMT8012LPS
- 名称 80V N 沟道增强型 MOSFET
- 产地 台湾
- 封装 PowerDI®5060-8
--- 产品详情 ---
产品简介
DIODES 的 DMT8012LPS 该 MOSFET 旨在最大限度地降低通态电阻 (R DS(ON) ),同时保持卓越的开关性能,使其成为高效电源管理应用的理想选择。
产品规格
品牌 DIODES
型号 DMT8012LPS
名称 80V N 沟道增强型 MOSFET
产地 台湾
封装 PowerDI®5060-8
产品参数
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 80 V
|VGS| (±V) 20 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 9 A
|IDS| @TC = +25°C (A) 65 A
PD @TA = +25°C (W) 2.1 W
PD @TC = +25°C (W) 113 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 17 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 21 mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 3 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 15 nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 34 nC
CISS Typ (pF) 1949 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 40 V
主要特征
高转换效率
低 R DS(ON) – 最大限度地减少状态损失
低输入电容
开关速度快
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