--- 产品参数 ---
- 品牌 DIODES
- 型号 DMTH4014LPD
- 名称 双 N 沟道增强型 MOSFET
- 产地 台湾
- 封装 PowerDI®5060-8 (Type C)
--- 产品详情 ---
产品简介
DIODES 的 DMTH4014LPD 该 MOSFET 旨在最大限度地降低导通电阻 (RDS(ON)),同时保持卓越的开关性能,使其成为高效电源管理应用的理想选择。
产品规格
品牌 DIODES
型号 DMTH4014LPD
名称 双 N 沟道增强型 MOSFET
产地 台湾
封装 PowerDI®5060-8 (Type C)
产品参数
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N+N
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 40 V
|VGS| (±V) 20 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 10.6 A
|IDS| @TC = +25°C (A) 43.6 A
PD @TA = +25°C (W) 2.41 W
PD @TC = +25°C (W) 42.8 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 15 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 25 mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 3 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 5.2 nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 10.2 nC
CISS Typ (pF) 733 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 20 V
主要特征
额定温度为 +175°C – 高环境温度环境的理想选择
100% 非钳位感应开关 – 确保更可靠、更稳健的最终应用
高转换效率
低 RDS(ON) – 最大限度地减少通态损耗
低输入电容
开关速度快
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