产品简介
DIODES 的 DMTH4M70SPGWQ 该 MOSFET 旨在满足汽车应用的严格要求。它符合 AEC-Q101 标准，并由 PPAP 支持。
产品规格
品牌 DIODES
型号 DMTH4M70SPGWQ
名称 40V +175°C N 沟道增强型 MOSFET
产地 台湾
封装 PowerDI®8080-5
产品参数
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Automotive
Polarity N
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 40 V
|VGS| (±V) 20 ±V
|IDS| @TC = +25°C (A) 460 A
PD @TA = +25°C (W) 5.6 W
PD @TC = +25°C (W) 428 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 0.7 mΩ
|VGS(TH)| Min (V) 2 V
|VGS(TH)| Max (V) 4 V
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 117.1 nC
CISS Typ (pF) 10053 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 20 V
主要特征
额定温度为 +175°C – 高环境温度
环境的理想选择
生产中 100% 非钳位电感开关 (UIS) 测试 —
确保最终应用更加可靠和稳健
高转换效率
低 RDS(ON)——最大限度地减少功率损耗
用于改进光学检测的可润湿侧面
开关速度快
低输入电容
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