DMTH6005LK3Q 60V +175°C N 沟道增强型 MOSFET 晶体管

产品简介
DIODES 的 DMTH6005LK3Q 该 MOSFET 旨在满足汽车应用的严格要求。它符合 AECQ101 资格并得到 PPAP 支持。

产品规格  
品牌                    DIODES
型号                    DMTH6005LK3Q
名称                    60V +175°C N 沟道增强型 MOSFET
产地                    台湾
封装                    TO252

产品参数
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Automotive
Polarity N
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 60 V
|VGS| (±V) 20 ±V
|IDS| @TC = +25°C (A) 90 A
PD @TA = +25°C (W) 3.9 W
PD @TC = +25°C (W) 100 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 5.6 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 10 mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 3 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 23.1 nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 47.1 nC
CISS Typ (pF) 2962 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 30 V

主要特征
额定温度为 +175°C – 高环境温度环境的理想选择
100% 非钳位感应开关 – 确保更可靠、更稳健的最终应用
低 R DS(ON) – 最大限度地减少功率损耗
低 QG –最大限度地减少开关损耗

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