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DMTH6010SCT 60V 175°C N 沟道增强型 MOSFET 晶体管

型号: DMTH6010SCT

--- 产品参数 ---

  • 品牌 DIODES
  • 型号 DMTH6010SCT
  • 名称 60V 175°C N 沟道增强型 MOSFET
  • 产地 台湾
  • 封装 TO220-3

--- 产品详情 ---

DMTH6010SCT 

产品简介
DIODES 的 DMTH6010SCT 这款新一代 MOSFET 具有低导通电阻和快速开关的特点,非常适合高效电源管理应用。

 

产品规格  
品牌                    DIODES
型号                    DMTH6010SCT
名称                    60V 175°C N 沟道增强型 MOSFET
产地                    台湾
封装                    TO220-3


产品参数
AEC Qualified No
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 60 V
|VGS| (±V) 20 ±V
|IDS| @TC = +25°C (A) 100 A
PD @TA = +25°C (W) 2.8 W
PD @TC = +25°C (W) 125 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 7.2 mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 4 V
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 36.3 nC
CISS Typ (pF) 1940 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 30 V


主要特征
额定温度为 +175°C – 高环境温度环境的理想选择
100% 非钳位感应开关 – 确保更可靠、更稳健的最终应用
低输入电容
低输入/输出泄漏


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