产品简介
DIODES 的 DMTH6015LDVW 这款新一代 N 沟道增强型 MOSFET 旨在最大限度地降低 R DS(ON)，同时保持卓越的开关性能。该器件非常适合用于电源管理和负载开关。
产品规格
品牌 DIODES
型号 DMTH6015LDVW
名称 60V +175°C N 沟道增强型 MOSFET
产地 台湾
封装 POWERDI®3333-8
产品参数
AEC Qualified No
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N+N
ESD Diodes (Y|N) Yes
|VDS| (V) 60 V
|VGS| (±V) 16 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 9.2 A
|IDS| @TC = +25°C (A) 24.5 A
PD @TA = +25°C (W) 3 W
PD @TC = +25°C (W) 24.5 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 20.5 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 27 mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 2.5 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 7.1 nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 14.3 nC
CISS Typ (pF) 825 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 30 V
主要特征
额定温度为 +175°C – 高环境温度环境的理想选择
生产中 100% 非钳位电感开关 (UIS) 测试 – 确保最终应用更加可靠和稳健
高转换效率
低 R DS(ON) – 最大限度地减少状态损失
低输入电容
开关速度快
用于改进光学检测的可润湿侧面
ESD保护栅极
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