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DMTH6016LPSQ 60V 175°C N 沟道增强型 MOSFET 晶体管

型号: DMTH6016LPSQ

--- 产品参数 ---

  • 品牌 DIODES
  • 型号 DMTH6016LPSQ
  • 名称 60V 175°C N 沟道增强型 MOSFET
  • 产地 台湾
  • 封装 PowerDI®5060-8

--- 产品详情 ---

DMTH6016LPSQ 

产品简介
DIODES 的 DMTH6016LPSQ 该 MOSFET 专为满足汽车应用的严格要求而设计。它符合 AEC-Q101 标准,由 PPAP 支持,非常适合用于:电源管理、DC-DC 转换器和电机控制。

 

产品规格  
品牌                    DIODES
型号                    DMTH6016LPSQ
名称                    60V 175°C N 沟道增强型 MOSFET
产地                    台湾
封装                    PowerDI®5060-8


产品参数
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Automotive
Polarity N
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 60 V
|VGS| (±V) 20 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 10.6 A
|IDS| @TC = +25°C (A) 37 A
PD @TA = +25°C (W) 2.6 W
PD @TC = +25°C (W) 37.5 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 16 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 24 mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 2.5 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 8.4 nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 17 nC
CISS Typ (pF) 864 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 30 V


主要特征
额定温度为 +175°C – 高环境温度环境的理想选择
热效率高的封装 - 运行应用温度更低
高转换效率
低 R DS(ON) – 最大限度地减少通态损耗
低输入电容
开关速度快
<1.1mm 封装外形 – 薄型应用的理想选择


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