产品简介
DIODES 的 DMTH69M8LFVWQ 该 MOSFET 旨在满足汽车应用的严格要求。它符合 AEC-Q101 标准，并由 PPAP 支持。
产品规格
品牌 DIODES
型号 DMTH69M8LFVWQ
名称 60V 175°C N 沟道增强型 MOSFET
产地 台湾
封装 PowerDI®3333-8
产品参数
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Automotive
Polarity N
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 60 V
|VGS| (±V) 16 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 15.9 A
|IDS| @TC = +25°C (A) 45.4 A
PD @TA = +25°C (W) 3.6 W
PD @TC = +25°C (W) 29.4 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 9.5 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 13.3 mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 3 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 15.6 nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 33.5 nC
CISS Typ (pF) 1925 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 30 V
主要特征
额定温度为 +175°C——高环境温度环境的理想选择
生产中 100% 非钳位电感开关 (UIS) 测试 — 确保最终应用更加可靠和稳健
低导通电阻
小外形热效率封装可实现更高密度的最终产品
用于改进光学检测的可润湿侧面
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