--- 产品参数 ---
- 品牌 DIODES
- 型号 NMSD200B01
- 名称 肖特基二极管 MOSFET
- 产地 台湾
- 封装 SOT-363
--- 产品详情 ---
产品简介
DIODES 的 NMSD200B01NMSD200B01提高了DC-DC的效率和可靠性电压调节器模块(VRM)中使用的控制器支持200mA的连续最大电流。它具有ESD功能受保护的离散N-MOSFET,具有低导通电阻和离散具有低正向压降的肖特基二极管。
该设备减少了组件数量,占用的空间更少,并且最大限度地减少寄生损耗。组件设备可以用作电路的一部分或作为独立的分立设备。
产品规格
品牌 DIODES
型号 NMSD200B01
名称 肖特基二极管 MOSFET
产地 台湾
封装 SOT-363
产品参数
AEC Qualified No
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N+SKY
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 60 V
|VGS| (±V) 20 ±V
PD @TA = +25°C (W) 0.2 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 2000 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 3000@5V mΩ
|VGS(TH)| Min (V) 1 V
|VGS(TH)| Max (V) 2.5 V
CISS Typ (pF) <=50 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 25 V
主要特征
带ESD栅极保护的N-MOSFET
具有低导通电阻(RDS(On))的N-MOSFET
低Vf肖特基二极管
低静态、开关和传导损耗
良好的动态性能
适用于自动装配的表面安装封装
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