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射频微波器件、组件一站式服务 国产替代选型

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ZXMHC10A07T8 互补 100V 增强模式 MOSFET 晶体管

Diodes MOSFET 晶体管
型号： ZXMHC10A07T8

--- 产品参数 ---

  • 品牌 DIODES
  • 型号 ZXMHC10A07T8
  • 名称 互补 100V 增强模式 MOSFET
  • 产地 台湾
  • 封装 SM-8 (8 LEAD SOT223)

--- 产品详情 ---

ZXMHC10A07T8 

产品简介
DIODES 的 ZXMHC10A07T8 新一代沟槽 MOSFET 采用独特的结构，结合了低导通电阻和快速开关速度的优点。这使得它们非常适合高效率、低电压、电源管理应用。

 

产品规格  
品牌                    DIODES
型号                    ZXMHC10A07T8
名称                    互补 100V 增强模式 MOSFET 
产地                    台湾
封装                     SM-8 (8 LEAD SOT223)


产品参数

AEC Qualified No
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity 2N2P
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 100 V
|VGS| (±V) 20 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 1.0, 0.8 A
PD @TA = +25°C (W) 1.3 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 700, 1000 mΩ
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 2.9, 3.5 nC
CISS Typ (pF) 138, 141 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 60, 50 V


主要特征
SOIC封装中的2 x N+2 x P通道
低导通电阻
低输入电容
快速切换速度


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